设备厂家：PANalytical
型号：X’Pert3 MRD
参数配置:
XYZΨΦ五轴样品台Ψ轴±92°Φ轴≥2×360°XY轴范围150mm(6inch)单色仪分辨率≤14秒
XYZΨΦ五轴样品台
Ψ轴±92°
Φ轴≥2×360°
XY轴范围150mm(6inch)
单色仪分辨率≤14秒
该设备为高分辨率之 X-射线衍仪，主要用途为测量GaAs、InP、SiC、GaN与GaSb等化合半导体材料的单晶和外延层材料的结晶完整性，外延层及相应半导体器件结构的组分、厚度、弛豫度等参数的测定，外延结构的晶格失配及应变状态分析，X-Y map均匀性分析，倒易空间mapping (RSM)，双轴晶和三轴晶X射线衍、对称和非扫描、Out-of-plane和In-plane衍射扫描等功能