半导体先进外延技术平台(SAE)
外延平台针对当前无线通讯、光纤通讯以及3D传感等领域对大尺寸外延晶圆的需求，采用MOCVD技术，聚焦GaAs与InP基化合物半导体光电与微电外延晶圆的生长。主要的研发方向为6" GaAs HBT和pHEMT、6" GaAs VCSEL激光器、4" GaAs大功率激光器、2”与3”InP 激光器和探测器，同时还承接科研院所与企业提供GaAs与InP基外延片的定制化服务。
研究院以满足国家战略需求和促进区域经济社会发展为己任，根据张家港市产业部署和实际需求，重点围绕（纳米材料、电力电子、激光通讯、光传感器）等前沿技术和国家亟待解决的关键半导体元器件，致力于GaAs、InP等为代表的第二代化合物半导体，GaN、SiC等为代表的第三代化合物半导体等领域的关键技术突破、外延技术服务、公共检测平台建设、人才项目引进和产业化，力争率先创建政产学研协同创新的科技成果转化平台。